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VD : 특정한 동작점에서의 다이오드의…(생략) 접합 다이오드의 특성(2). p+-QNR의 전자는 전계에 의해 n-QNR쪽으로 drift한다.hwp 접합 다이오드의 특성(2). 이 pn접합은 전기적으로 어느 한쪽 방향으로만 전류가 흐르게 된다..1) ⇒다이오드의 순방향 저항은 매우 작으나 역방향 저항은 대단히 커지게 된다. p+-QNR의 전자는 전계에 의해 n-QNR쪽으로 drift.hwp 접합 다이오드의 특성(2). (a) 기호 (b) 이상적인 다이오드의 전압-전류 특성 그림 1-1 이상적인 다이오드 ? 다이오드의 전압,순방향 전류도 증가한다. p+-QNR의 전자는 전계에 의해 n-QNR쪽으로 drift.hwp.접합 다이오드의 특성 등록 접합 다이오드의 특성(2).) n-QNR의 전자중 potential barrier보다 높은 에너지를 가진 전자(thermal equilibrium보다 많음) 만 p+-QNR쪽으로 diffusion.(건전지의 “+”단자가 다이오드의 n쪽에 접 속되어 전자들은 그만큼 에너지가 낮아짐) n-QNR의 전자들은 potential barrier보다 낮은 에너지를 가지기 때문에 p+-QNR쪽으로  ......

 

 

Index & Contents

접합 다이오드의 특성 등록

 

접합 다이오드의 특성(2).hwp (DownLoad).zip

 

접합 다이오드의 특성

 

1. 실험 목적

(1) 순방향 및 역방향 바이어스(bias)전압이 접합 다이오드(Junction diode)의 전류에 미치는 효과를 측정한다.

(2) 접합 다이오드의 전압-전류 특성을 실험적으로 결정하고 도시한다.

(3) 접합 다이오드를 저항계로 시험하는 법을 익힌다.

 

2. 실험 이론

1) pn접합 다이오드

p형 반도체와 n형 반도체가 금속적으로 접합된 것. 이 pn접합은 전기적으로 어느 한쪽 방향으로만 전류가 흐르게 된다. 이것이 바로 다이오드의 주된 특성이 된다.

 

?평형상태

n-QNR의 전자 중 potential barrier보다 높은 에너지를 가진 전자만 p+-QNR쪽으로 diffusion한다.

p+-QNR의 전자는 전계에 의해 n-QNR쪽으로 drift한다.

?순방향 바이어스(forward bias)(]0)

인가된 순방향전압에 의해 potential barrier는 낮아진다.(건전지의 “-” 단자는 다이오드의 n쪽에 접속

되어 전자들은 그만큼 에너지가 높아진다.)

n-QNR의 전자중 potential barrier보다 높은 에너지를 가진 전자(thermal equilibrium보다 많음) 만

p+-QNR쪽으로 diffusion.

p+-QNR의 전자는 전계에 의해 n-QNR쪽으로 drift.

p에서 n으로 전류가 흐른다.

.?역방향 바이어스(reverse bias)([0)

인가된 역방향전압에 의해 potential barrier는 더욱 높아짐.(건전지의 “+”단자가 다이오드의 n쪽에 접 속되어 전자들은 그만큼 에너지가 낮아짐)

n-QNR의 전자들은 potential barrier보다 낮은 에너지를 가지기 때문에 p+-QNR쪽으로 갈 수 없다.

p+-QNR의 전자는 전계에 의해 n-QNR쪽으로 drift.

 

 

 

(a) 기호 (b) 이상적인 다이오드의 전압-전류 특성

 

그림 1-1 이상적인 다이오드

 

 

 

? 다이오드의 전압, 전류 관계 표현식

(1.1)

 

⇒다이오드의 순방향 저항은 매우 작으나 역방향 저항은 대단히 커지게 된다.

 

2)Si 다이오드의 여러 가지 온도에 따르는 전압-전류 특성 변화.

⇒온도가 상승하면 역방향 포화전류 Is가 증가하고,순방향 전류도 증가한다.

또한 최대 전력 또는 소비 정격은 다음 식으로 표시된다.

(ID, VD : 특정한 동작점에서의 다이오드의…(생략)

 

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