etching and pollishing,, B, P와 Sb등을 넣고 1400°의 온도로. polysilicon creation 다결정 실리콘을 불화수소산 속에서 녹인 후 정제. photoresist coating 7. stepper exposure 8.반도체공정순서 Down ☞ 자료문서 (File). probe test and die cut 12. . oxidation layering 6. 반도체공정순서 1. polysilicon creation 2. Crystal Pulling 이라는 과정을 통해 단결정을 만들어야 함. 불활성 기체인 아르곤 가스를 진공 중에 넣어줌 용융체 속에 단결정 실리콘 Seed를 담궜다가 돌려가며 꺼내면 서로 달라붙게 되고 Seed와 똑같은 결정방향을 갖는 단결정 실리콘 주괴(ingot)로 식어지게 됨. wafer slicing 4. crystal pulling 3. acid and etch 10. spin rinse dry 11. lapping ,crystal pulling 진공의 도가니속에 고순도의 다결정 실리콘을 넣고 As, cleaning 1) wafer lapping 2) wafer etching 3) wafer polishing 4) wafer cleaning 5. 불규칙적인 격자배열. wire bonding 13. packaging1. oxidation layering 5. develop and bake ......
반도체공정순서 Down
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반도체공정순서
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1. polysilicon creation
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3. wafer slicing
4. lapping , etching and pollishing, cleaning
1) wafer lapping
2) wafer etching
3) wafer polishing
4) wafer cleaning
5. oxidation layering
5. oxidation layering
6. photoresist coating
7. stepper exposure
8. develop and bake
9. acid and etch
10. spin rinse dry
11. probe test and die cut
12. wire bonding
13. packaging1. polysilicon creation
다결정 실리콘을 불화수소산 속에서 녹인 후 정제.
불규칙적인 격자배열.
Crystal Pulling 이라는 과정을 통해 단결정을 만들어야 함.
2. crystal pulling
진공의 도가니속에 고순도의 다결정 실리콘을 넣고 As, B, P와 Sb등을 넣고 1400°의 온도로. 불활성 기체인 아르곤 가스를 진공 중에 넣어줌
용융체 속에 단결정 실리콘 Seed를 담궜다가 돌려가며 꺼내면 서로 달라붙게 되고 Seed와 똑같은 결정방향을 갖는 단결정 실리콘 주괴(ingot)로 식어지게 됨. 보통 150mm와 200mm 지름으로 만들어짐.
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